Grundlagen elektronischer Materialien und Bauelemente I

      Virtueller Lernraum

      Zu dieser Veranstaltung finden Sie einen L2P Lernraum, der der Vorlesung zugeordnet ist. Dort finden Sie Zusatzmaterial sowie aktuelle Informationen zur laufenden Veranstaltung. Die Anmeldung ist über CAMPUS möglich.

      Kleingruppenübungen

      Sie können sich über CAMPUS zu der Kleingruppenübung dieser Veranstaltung anmelden. Hierbei werden Sie die Herangehensweise an typische Aufgaben dieses Faches erlernen.

      Klausur

      Informationen über die Klausur erhalten Sie über Aktuelles oder über CAMPUS.

      Inhalt der Vorlesung und Übung

      Elektronische Eigenschaften von Festkörpern:

        chem. Bindung in Festkörpern, Bändermodell, periodisches Festkörperpotential, Zustandsdichte, Fermi-Dirac-Verteilung, Besetzung von Bändern: Metalle, Halbleiter und Isolatoren;

      Metallische Leiter:

        Elektronische Leitung im Bändermodell, Beweglichkeit, Elektronen und Löcher, Austrittsarbeit und Elektronenemission, Tunnelprozesse;

      Anwendungen:

        Leiter, Kontakte, lineare Widerstände;

      Halbleiter 1- Materialien und Grenzflächen:

        Trägerdichten in reinen Halbleitern, Dotierungen, Berechnung der Trägerdichte und der Fermi-Energie;

      Anregungen und Antworten:

        Relaxation, Rekombination, Diffusions- und Driftströme; Grenzflächen: Raumladungszonen, Anreicherung und Verarmung, Elektrostatik des MOS-Übergangs, des Metall-Halbleiter-Übergangs und des pn-Übergangs; Raumladungskapazitäten;

      Halbleiter 2- unipolare Bauelemente:

        MOS-Kondensator, MOS-Feldeffekttransistor, Aufbau und Wirkungsweise, Herleitung der Kennliniengleichung, Sättigung, Abschnürung, Kennlinienfelder, Kurzkanaleffekte, MOSFET-Typen, dynamisches Verhalten; Sperrschicht-FET; Dünnschichttransistoren;